ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVB30100S-E3/8W · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 MA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If910 MV @ 30 A ขอใบเสนอราคา
BAT54-AQ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiotec Semiconductorกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr2 µA @ 25 Vอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
1SS355-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicro Commercial Coกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 NA @ 80 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.2 V @ 100 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMBR400100CT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตGeneSiC Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด200Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSMBT2000T1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiแพ็กเกจ / ตัวถังบรรจุรวม ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJANTX1N4148-1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicrochip Technologyกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr500 NA @ 75 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.2 V @ 100 MA ขอใบเสนอราคา
· ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicrochip Technologyกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr2 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If975 MV @ 2 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMSCDC600A170AG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicrochip Technologyกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด600Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงFDH444TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr50 NA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.2 V @ 300 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAW156235 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNXP USA Inc.แพ็กเกจ / ตัวถังบรรจุรวม ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSTTH2002G-TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSTMicroelectronicsกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 20 A ขอใบเสนอราคา
409DMQ150 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSMC Diode Solutionsอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°Cแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.03 V @ 200 A ขอใบเสนอราคา
BAV21WS · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 NA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 200 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMBR400100CTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตGeneSiC Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด200Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
1S2076JRE · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRenesas Electronics America Incแพ็กเกจ / ตัวถังบรรจุรวม ขอใบเสนอราคา
FERD30SM100DJFTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSTMicroelectronicsกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr150 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If970 MV @ 30 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงM5060CC1200 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSensata-Crydomกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด60A (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 125°C ขอใบเสนอราคา
1S2075K-J · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRenesas Electronics America Incอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน175°Cแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If800 MV @ 10 MA ขอใบเสนอราคา