BAS16WX-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicro Commercial Coกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 75 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 150 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-6CWQ10FNTRL-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด3.5Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
PMLL4148L · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNexperia USA Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr25 NA @ 20 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1 V @ 50 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงPNE20040CPE-QZ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNexperia USA Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด2Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน175°C ขอใบเสนอราคา
PMEG40T10ER-QX · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNexperia USA Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr22 µA @ 40 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If460 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSBT10010JST · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiแพ็กเกจ / ตัวถังบรรจุรวม ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAS16-7-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 75 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 150 MA ขอใบเสนอราคา
1S2076TA-E · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRenesas Electronics America Incแพ็กเกจ / ตัวถังบรรจุรวม ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMER2DMA_R2_00601 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If950 MV @ 2 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSS6P4C-M3/86A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด3Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N4148W · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSMC Diode Solutionsกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr2.5 µA @ 75 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 150 MA ขอใบเสนอราคา
NTE632 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNTE Electronics, Incกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด150mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N4933 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNTE Electronics, Incกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 50 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.2 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
1S2074HTD-E · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRenesas Electronics America Incแพ็กเกจ / ตัวถังบรรจุรวม ขอใบเสนอราคา
CMPSH-3AE · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตCentral Semiconductor Corpกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด200mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
BAS32L · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNexperia USA Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 75 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1 V @ 100 MA ขอใบเสนอราคา
MBRD1045CTQ-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicro Commercial Coกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N4531 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNexperia USA Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr25 NA @ 20 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1 V @ 10 MA ขอใบเสนอราคา