ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงHSM126S-JTR-E · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRenesas Electronics America Incแพ็กเกจ / ตัวถังบรรจุรวม ขอใบเสนอราคา
CD214B-FS3K · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตBourns Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 800 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If2.2 V @ 3 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSTPS30170CG-TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSTMicroelectronicsกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด15Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน175°C (Max) ขอใบเสนอราคา
BAS316-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicro Commercial Coกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 75 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 150 MA ขอใบเสนอราคา
S16DSD2 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiotec Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด8Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-50°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSBR100-10JS-CHC11 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiแพ็กเกจ / ตัวถังบรรจุรวม ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAV99/8 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNXP USA Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด215mA (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน150°C (Max) ขอใบเสนอราคา
1SS120-92TD-E · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRenesas Electronics America Incแพ็กเกจ / ตัวถังบรรจุรวม ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMBRB10200CT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด5Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N4150TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 NA @ 50 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1 V @ 200 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-MBRB20100CTR-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
1SS120-90RX-E · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRenesas Electronics America Incแพ็กเกจ / ตัวถังบรรจุรวม ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงG20H100CTW · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด20Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
1SS427 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตToshiba Semiconductor And Storageกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr500 NA @ 80 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.2 V @ 100 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSBR2045CT-G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
NRVBA210LNT3G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr700 µA @ 10 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If350 MV @ 2 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMBR2090CTLFAJ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiแพ็กเกจ / ตัวถังบรรจุรวม ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงRB530SM-30T2R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr500 NA @ 10 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If450 MV @ 10 MA ขอใบเสนอราคา