ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงDTH1506D · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr45 µA @ 600 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If2.9 V @ 15 A ขอใบเสนอราคา
NTE6232 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNTE Electronics, Incกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด100Aแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.45 V @ 330 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAV70-7-F-52 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด150mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAT43-TAP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr500 NA @ 25 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If450 MV @ 15 MA ขอใบเสนอราคา
DTH1206FP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr45 µA @ 600 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If2.9 V @ 12 A ขอใบเสนอราคา
MDD172-14N1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตIXYSกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด190Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
NTE6220 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNTE Electronics, Incกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด55Aแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.45 V @ 170 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงRB530VM-30TE-17 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr500 NA @ 10 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If450 MV @ 10 MA ขอใบเสนอราคา
· ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPhoenix Contactกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด400mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-20°C ~ 50°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNTE635 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNTE Electronics, Incกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 400 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.05 V @ 2 A ขอใบเสนอราคา
VS-VSKC236/04PBF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด115Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
BAT854W · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNexperia USA Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr500 NA @ 25 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If550 MV @ 100 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVB20150SG-E3/8W · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr200 µA @ 150 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.6 V @ 20 A ขอใบเสนอราคา
VS-VSUD510CW60 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด619Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
S1N-13-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 1200 Vอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
VS-VSUD505CW60 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด572Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAS40Q-7-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr200 NA @ 30 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1 V @ 40 MA ขอใบเสนอราคา
VS-VSKCS408/060 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด200Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา