ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงRB578VYM100FHTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr200 NA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If850 MV @ 700 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSB620CT_T0_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด6Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 125°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง11DQ04 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSMC Diode Solutionsกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 MA @ 40 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If550 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAS70DW-04Q-13-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด70mA (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 125°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงRB168MM-30TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr600 NA @ 30 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If690 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงCDBV6-54SD-G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตComchip Technologyกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด200mA (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 125°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงPG4006_R2_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 800 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSDM40E20LSQ-7-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด400mA (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 125°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงCUHS20F40 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตToshiba Semiconductor And Storageกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr60 µA @ 40 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If540 MV @ 2 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงCDBV6-54BR-G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตComchip Technologyกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด200mA (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 125°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAS16-QR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNexperia USA Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr500 NA @ 80 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 150 MA ขอใบเสนอราคา
RB705DFHT146 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด30mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน125°C (Max) ขอใบเสนอราคา
UFM15PL-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicro Commercial Coกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 600 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.7 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงUMR11NTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด100mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน150°C (Max) ขอใบเสนอราคา
RL106F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSMC Diode Solutionsกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 800 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.3 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAV99UE6327HTSA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตInfineon Technologiesกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด200mA (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน150°C (Max) ขอใบเสนอราคา
RL102F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSMC Diode Solutionsกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.3 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงRB481KFSTL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด200mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน125°C (Max) ขอใบเสนอราคา