VS-T85HFL20S05 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 20 MA @ 200 V
- เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)
- 500 Ns
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
JANS1N6642UB/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 100 MA
- ความจุไฟฟ้าที่ Vr, F
- 5pF @ 0V, 1MHz
VS-T85HFL60S05 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 20 MA @ 600 V
- เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)
- 500 Ns
LMH6654MAX/NOPB · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- กระแสไฟเลี้ยง
- 4.5 MA
- อุณหภูมิการทำงานต่ำสุด
- - 40 C
VS-T85HFL40S02 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 20 MA @ 400 V
- เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)
- 200 Ns
TS1874AIDT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- STMicroelectronics
- กระแสไฟเลี้ยง
- 560 UA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 125 NA
VS-T85HFL20S02 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 20 MA @ 200 V
- เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)
- 200 Ns
UES1301SM · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 925 MV @ 6 A
- เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)
- 30 Ns
UES1302SM/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 925 MV @ 6 A
- เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)
- 30 Ns
UES1303SM/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 925 MV @ 6 A
- เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)
- 30 Ns
VS-150KS60 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 35 MA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.33 V @ 471 A
UES1301SM/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 925 MV @ 6 A
- เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)
- 30 Ns
JANTXV1N6627US · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 440 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.35 V @ 2 A
UES1302SME3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 925 MV @ 6 A
VS-150KSR40 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 35 MA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.33 V @ 471 A
VS-150KSR30 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 35 MA @ 300 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.33 V @ 471 A
VS-150KS30 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 35 MA @ 300 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.33 V @ 471 A