ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงFEPF16FT-E3/45 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด8Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
VSS8D5M12-M3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr350 µA @ 120 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If620 MV @ 2.5 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-30CTQ100STRR-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด15Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงAR1FMHM3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 1000 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.6 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-25CTQ040STRR-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด15Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
VSS8D3M15HM3/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr180 µA @ 150 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If760 MV @ 1.5 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-MBRB20100CTHM3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงAR1FGHM3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 400 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
MBRS2545CTH · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด25Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงGL41J-E3/96 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 600 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-MURB1020CTLHM3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด5Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSF16G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 400 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.3 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSBR30120CT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด15Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
S1MBH · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 1000 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
SFF10L05G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด5Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
RB162LAM-60TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 60 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If650 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-20CTQ040S-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
MBRB30150CTH-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicro Commercial Coกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด30Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา