ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-30CPQ050-N3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด30Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน150°C (Max) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงESH1D-E3/61T · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If900 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-20CTQ040HN3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด20Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน175°C (Max) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVSSAF3N50-M3/6B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 MA @ 50 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If400 MV @ 1.5 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงTSF40H100C · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด20Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงTSF10U60C · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด5Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
RBR3LAM40CTFTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 40 Vอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน150°C (Max) ขอใบเสนอราคา
CMSH2-40M · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตCentral Semiconductor Corpกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr500 µA @ 40 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If550 MV @ 2 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMBR30200CTE3/TU · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicrochip Technologyกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด15Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงCRS13(TE85L · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตToshiba Semiconductor And Storageกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr50 µA @ 60 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If550 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
VX60100PWHM3/P · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด30Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ES2G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 400 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.3 V @ 2 A ขอใบเสนอราคา
VX30170CHM3/P · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด15Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
SX36_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 60 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If750 MV @ 3 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMBR10150CT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตLittelfuse Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด5Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSS3P3HM3J/84A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr200 µA @ 30 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If580 MV @ 3 A ขอใบเสนอราคา
DSA20C150PB · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตIXYSกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงESH2B-E3/5BT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr2 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If930 MV @ 2 A ขอใบเสนอราคา