GSXD050A006S1-D3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SemiQ
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 50A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
ER1004F_T0_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Panjit International Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 10 A
DSEP2X31-12A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- IXYS
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 30A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
RGP10KE-E3/54 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 800 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 1 A
DAA200X1800NA · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- IXYS
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 100A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
BYC15-1200PQ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- WeEn Semiconductors
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 1200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 3.2 V @ 15 A
VS-UFL250CB60 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 130A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
VS-15ETX06S-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 3.2 V @ 15 A
MDA72-08N1B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- IXYS
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 113A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
1N4937GPE-E3/54 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 1 A
APT2X30D40J · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 30A
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.5 V @ 30 A
PMEG4030ETP-QX · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 200 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 490 MV @ 3 A
JANTX1N4148UBCC · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 200°C
VS-MBRB735-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 35 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 570 MV @ 7.5 A
62CNQ030SM · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SMC Diode Solutions
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 30A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
S4PK-M3/87A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 800 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 4 A
MDMA85P1600TG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- IXYS
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 85A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
MBR6100F_T0_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Panjit International Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 800 MV @ 6 A