CMR3-02 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Central Semiconductor Corp
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 3 A
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
MBRT120100R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 60A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
BAT54WS-E3-18 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 25 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 800 MV @ 100 MA
· ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Phoenix Contact
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 300mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -20°C ~ 50°C
SBRT05U20LPSQ-7B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 20 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 390 MV @ 500 MA
MBR40045CT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
ED306S_L2_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Panjit International Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.7 V @ 3 A
FST16045 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 160A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
S1GM · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 1 A
MBR400200CTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
SB630_T0_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Panjit International Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 200 µA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 550 MV @ 6 A
MSRTA6001R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 600A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
BAT85S-TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 25 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 800 MV @ 100 MA
MSRTA6001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 600A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
ES3F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 300 V
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
FST160100 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 160A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
RGP15K-E3/54 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 800 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 1.5 A
MBRT20080R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 100A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C