MSRTA600140A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 600A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
RSX201VYM30FHTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 300 µA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 460 MV @ 1.5 A
F1892CAD400 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Sensata-Crydom
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 90A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 125°C
HS1KLH · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 800 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.7 V @ 1 A
MBRT30045R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 150A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
S3M-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 1000 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 3 A
HS1FLH · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 300 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 950 MV @ 1 A
MSRTA200140AD · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
SK29 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SMC Diode Solutions
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 µA @ 90 V
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 125°C
MBRT300150R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 150A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
MSC2X50SDA170J · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- แพ็กเกจ / ตัวถัง
- บรรจุในหลอด
VS-2ENH02-M3/84A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 2 A
JANTX1N5712UBCA/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 75mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 150°C
UG58G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 30 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 2.1 V @ 5 A
MBRT30030R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 150A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
RB420DFHT146 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 10 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 450 MV @ 10 MA
MDD200-14N1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- IXYS
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 224A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
SR810 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 920 MV @ 8 A