VS-MBRB1035-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 35 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 570 MV @ 10 A
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
· ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Linear Technology/Analog Devices
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- J-FET
- อัตราสลูว์
- 3.4 V/µs
V20120SG-M3/4W · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 250 µA @ 120 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.33 V @ 20 A
AD8032BRZ-REEL7 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- ADI / Analog Devices Inc.
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ป้อนกลับแรงดัน
- อัตราสลูว์
- 35 V/µs
AD8610ARZ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Analog Devices
- กระแสไฟเลี้ยง
- 3.5 MA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 3.5 NA
VI20150SG-M3/4W · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 200 µA @ 150 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.6 V @ 20 A
NRVHP820LFST1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 8 A
THS4303RGTT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ใช้งานทั่วไป
- อัตราสลูว์
- 5500 V/µs
AD8608ARZ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Analog Devices
- กระแสไฟเลี้ยง
- 1 MA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 300 PA
1N5407GP-E3/54 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 3 A
NHP620LFST1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 NA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 950 MV @ 6 A
· ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Linear Technology/Analog Devices
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ดริฟต์ศูนย์
- อัตราสลูว์
- 0.5 V/µs
GP30D-E3/54 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 3 A
VS-MBRB1035TRR-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 35 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 570 MV @ 10 A
ISO121G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- กระแสไฟเลี้ยง
- 5 MA
- อุณหภูมิการทำงานต่ำสุด
- - 55 C
LMH6624MA/NOPB · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ป้อนกลับแรงดัน
- อัตราสลูว์
- 400 V/µs
VB20120SG-E3/4W · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 250 µA @ 120 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.33 V @ 20 A
AD8552ARUZ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- ADI / Analog Devices Inc.
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ดริฟต์ศูนย์
- อัตราสลูว์
- 0.4 V/µs