DSSK48-003BS-TRL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- IXYS
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 25A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
1N2060 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Solid State Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 75 µA @ 350 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 300 A
SBR30M100CT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 15A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 175°C
MSS1P2L-M3/89A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 250 µA @ 20 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 500 MV @ 1 A
DSSK20-0045B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- IXYS
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 10A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
1N5819RL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- STMicroelectronics
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 550 MV @ 1 A
DSSK48-003B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- IXYS
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 25A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
1N1662R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Solid State Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 75 µA @ 150 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 300 A
DSSK38-0025BS-TRL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- IXYS
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 20A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
RB551V-30-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 20 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 470 MV @ 500 MA
APT40DQ120BCTG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microsemi Corporation
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 40A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
1N2055R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Solid State Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 75 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 300 A
DSSK40-006B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- IXYS
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 20A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
1N4001-E3/53 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 1 A
DSSK18-0025B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- IXYS
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 10A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
1N2060R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Solid State Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 75 µA @ 350 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 300 A
APT30D100BCAG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 18A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
BAT46W-HE3-08 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 75 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 250 MA