CDBH3-54S-G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Comchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 125°C (Max)
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
VS-12CWQ10FNTRPBF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 6A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
BAT54HT1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 25 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 800 MV @ 100 MA
MBRT50030 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 250A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
VS-MUR820-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 975 MV @ 8 A
CDST-21S-G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Comchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
1N914ATR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 75 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 20 MA
FST16090 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microsemi Corporation
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 80A
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 960 MV @ 80 A
1N4448WS-E3-08 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 75 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 720 MV @ 5 MA
VB20100S-E3/8W · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 900 MV @ 20 A
CDBD2060-HF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Comchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 20A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
MBRT500100 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 250A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
1N4151W-E3-08 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 NA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 50 MA
CDBV3-54C-G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Comchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 125°C (Max)
MMBD6050-HE3-08 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 NA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 100 MA
CPT500100 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microsemi Corporation
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 250A
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 900 MV @ 250 A
12TQ200 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SMC Diode Solutions
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 550 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 920 MV @ 15 A
CDBD2040-HF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Comchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 20A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 125°C