SF2004G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 975 MV @ 10 A
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
VB20100S-M3/4W · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 900 MV @ 20 A
OP213FSZ-REEL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- ADI / Analog Devices Inc.
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ใช้งานทั่วไป
- อัตราสลูว์
- 1.2 V/µs
MBRF1045HE3_A/P · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 45 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 840 MV @ 20 A
MAX4167ESA+ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Maxim Integrated
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ใช้งานทั่วไป
- อัตราสลูว์
- 2 V/µs
VI30120SG-M3/4W · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 µA @ 120 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.28 V @ 30 A
5962-89641012A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Analog Devices
- อัตราสลูว์
- 300 V/us
- อุณหภูมิการทำงานต่ำสุด
- - 55 C
NRVTS30120MFST3G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 150 µA @ 120 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 950 MV @ 30 A
· ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Linear Technology/Analog Devices
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ตรวจวัดกระแส
- อัตราสลูว์
- 0.05 V/µs
SFAF508G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.7 V @ 5 A
JAN1N914 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 NA @ 75 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 50 MA
LMV774MT/NOPB · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ใช้งานทั่วไป
- อัตราสลูว์
- 1.4 V/µs
VB20100S-M3/8W · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 300 µA @ 120 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.12 V @ 20 A
VS-HFA06TB120SL-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 1200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 3.9 V @ 12 A
LM10CN/NOPB · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ใช้งานทั่วไป
- แรงดันออฟเซ็ตอินพุต
- 500µV
VB20120SG-E3/8W · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 250 µA @ 120 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.33 V @ 20 A
MBRB1535-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 150 µA @ 35 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 520 MV @ 15 A