FMEN-2308 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Sanken Electric USA Inc.
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 15A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
VS-16FR80M · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 175°C
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.23 V @ 50 A
MBRF300150 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 150A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
C6D04065A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Wolfspeed, Inc.
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.27 V @ 4 A
- เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)
- 0 Ns
MBRF20020 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 100A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
C3D04065A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Wolfspeed, Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 60 µA @ 650 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.8 V @ 4 A
MBRF60035R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 300A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 175°C
VS-25F80M · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 175°C
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 78 A
CMMSH1-20G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Central Semiconductor Corp
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 450 MV @ 1 A
SBRT30A60CTFP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 15A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
NTE5898 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NTE Electronics, Inc
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 12 MA @ 300 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.23 V @ 50 A
MBRF60020R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 300A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 175°C
MBRF200100 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 60A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
RBR3MM40ATR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 80 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 620 MV @ 3 A
MBRF20080 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 100A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
BYC30WT-600PQ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- WeEn Semiconductors
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 2.75 V @ 30 A
MBRF12040 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 60A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
APT40DQ120BG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 1200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 3.3 V @ 40 A