STTH1L06U · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- STMicroelectronics
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 1 A
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
MBRTA80020RL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 400A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
RS1A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SMC Diode Solutions
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 1 A
MBR15100CT-G1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 7.5A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 150°C
MBRTA800200 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 400A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
RF101L4STFTE25 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.25 V @ 1 A
STPS120MF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- STMicroelectronics
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 3.9 µA @ 20 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 490 MV @ 1 A
MBR1060CT-G1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 5A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
SBLB1640CTHE3_A/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 8A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 125°C
BAS19W_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Panjit International Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 NA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 100 MA
V3PAN50-M3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 600 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 540 MV @ 3 A
RB088BM150TL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 10A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
SBYV27-50-E3/54 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.07 V @ 3 A
BAV99S/ZLX · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
LL4148 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 75 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 50 MA
MBR10100CS2-G1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 5A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
V4PAN50-M3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 600 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 430 MV @ 2 A
MBRB2535CTHE3_A/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 12.5A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 150°C