NRVBD640CTT4G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 3A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 175°C
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
HRW0202BTR-E · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Renesas Electronics America Inc
- แพ็กเกจ / ตัวถัง
- บรรจุรวม
BAT54AT-7-G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 150°C
1N5817 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Central Semiconductor Corp
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 MA @ 20 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 450 MV @ 1 A
FEP6DT-5410HE3/45 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 6A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
BAL99 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 70 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.25 V @ 150 MA
BYV32-150801HE3/45 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 18A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 150°C
V2NL63HM3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 60 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 580 MV @ 2 A
BAS40W-04-7-F-79 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 125°C
IMBD4148-HE3-08 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2.5 µA @ 70 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 10 MA
GE2X10MPS06D · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 23A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
SF14G-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 950 MV @ 1 A
FEP16GT-5300HE3/45 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 16A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
BAS16WS-E3-08 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 75 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.25 V @ 150 MA
BYV32EB-200PQ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- WeEn Semiconductors
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 20A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
HER108G-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 1000 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.7 V @ 1 A
FEP16CT-5001HE3/45 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 16A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
RBR1MM30ATFTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 480 MV @ 1 A