RS2A-E3/5BT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 1.5 A
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
MBR60L45WTG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 30A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 175°C
SBR3U60P1-7 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 60 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 650 MV @ 3 A
UGB10GCTHE3_A/P · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 5A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
CD214A-B120LR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Bourns Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 MA @ 20 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 380 MV @ 1 A
BAV99W · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 150mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
S1PG-M3/85A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 1 A
UGB10FCTHE3_A/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 5A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
RR1VWM6STFTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 1 A
BAV199/ZLR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 160mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
VS-2EAH02HM3/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 950 MV @ 2 A
LSIC2SD120E40CCA · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Littelfuse Inc.
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 55A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
1T6G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 800 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 1 A
BAS40-05/ZLVL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 120mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
SE20PJ-M3/84A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.05 V @ 2 A
G30H150CTW · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 30A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
GL34JHE3/98 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 500 MA
· ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 215mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)