STTH2L06 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- STMicroelectronics
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 2 A
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
BAT64A-7-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 750 MV @ 100 MA
V8PM12HM3_A/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 300 µA @ 120 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 840 MV @ 8 A
LXA03D530-TL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Power Integrations
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 250 µA @ 530 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.71 V @ 3 A
PMEG6002EB-QF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 60 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 600 MV @ 200 MA
MAX992ESA+ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Maxim Integrated
- กระแสไฟเลี้ยง
- 160 UA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 1 PA
SBR8A45SP5-13 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 300 µA @ 45 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 600 MV @ 8 A
HSM276STL-E · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Renesas Electronics America Inc
- แพ็กเกจ / ตัวถัง
- บรรจุรวม
SB250 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SMC Diode Solutions
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 MA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 700 MV @ 2 A
STPS5L60SFY · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- STMicroelectronics
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 470 µA @ 60 V
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
MAX931ESA+T · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Maxim Integrated
- กระแสไฟเลี้ยง
- 3.2 UA
- อุณหภูมิการทำงานต่ำสุด
- - 40 C
SVT15120UB_R2_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Panjit International Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 35 µA @ 120 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 790 MV @ 15 A
MCP6567T-E/MS · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสไบอัสอินพุต
- 1 PA
- อุณหภูมิการทำงานต่ำสุด
- - 40 C
NSVBAS16WT3G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.25 V @ 200 MA
S5MHE3_A/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 1000 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.15 V @ 5 A
V8P6HM3_A/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 600 µA @ 60 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 610 MV @ 8 A
V1FL45HM3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 250 µA @ 60 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 530 MV @ 1 A
UF5400-E3/54 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 3 A