S2Q · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 1.2 KV
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.15 V @ 2 A
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
B130L-13-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 MA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 410 MV @ 1 A
S1PMHM3/84A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 1000 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 1 A
NJM12903M-TE3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NJR
- กระแสไฟเลี้ยง
- 1 MA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 200 NA
SD101CWS-E3-08 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 200 NA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 900 MV @ 15 MA
MBR230S1F-7-52 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 MA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 420 MV @ 2 A
PNE20010EXD-QX · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 75 NA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.02 V @ 1 A
1SS250(TE85L · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 100 MA
SK36AHE3-LTP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 60 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 750 MV @ 3 A
SBA330AH_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Panjit International Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 200 µA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 460 MV @ 3 A
SD560C · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SMC Diode Solutions
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 9 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 5 A
NJM12903R-TE2 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NJR
- กระแสไฟเลี้ยง
- 1 MA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 200 NA
SFT14G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 950 MV @ 1 A
CRS10I30A(TE85L · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 60 µA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 390 MV @ 700 MA
S1MLW · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 1000 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 1 A