VS-10ETF10STRR-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 1000 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.33 V @ 10 A
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
AD8544ARUZ-REEL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- ADI / Analog Devices Inc.
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ใช้งานทั่วไป
- อัตราสลูว์
- 0.92 V/µs
· ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 250 µA @ 80 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 800 MV @ 5 A
VS-50WQ04FNTRLHM3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 3 MA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 510 MV @ 5 A
TLV2372QDRG4Q1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ใช้งานทั่วไป
- อัตราสลูว์
- 2.1 V/µs
TSP15U120S · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 250 µA @ 120 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 750 MV @ 15 A
LPV321M7/NOPB · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- กระแสไฟเลี้ยง
- 9 UA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 50 NA
VS-10ETF10S-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 1000 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.33 V @ 10 A
MCP6S21T-I/MS · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- อัตราสลูว์
- 22 V/µs
- แรงดันออฟเซ็ตอินพุต
- 275µV
VS-10ETF02STRL-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 10 A
NE5532D8R2G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสไฟเลี้ยง
- 8 MA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 800 NA
SK56C · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 µA @ 60 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 750 MV @ 5 A
VS-10ETF12S-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 1200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.33 V @ 10 A
TLV2460CDBVR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ใช้งานทั่วไป
- อัตราสลูว์
- 1.6 V/µs
VS-10TQ045SHM3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 MA @ 45 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 570 MV @ 10 A
LT1013DDR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ใช้งานทั่วไป
- อัตราสลูว์
- 0.4 V/µs
OPA2314AIDRBT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- กระแสไฟเลี้ยง
- 150 UA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 10 PA
1N4148-1/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 NA @ 75 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 100 MA