MCP6441T-E/LT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสไฟเลี้ยง
- 0.45 UA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 1 PA
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
VS-A5PH6006L-N3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 25 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.7 V @ 60 A
1N647 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 400 MA
- เทคโนโลยี
- มาตรฐาน
APT15DQ100BG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 1000 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 3 V @ 15 A
QH12BZ600 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Power Integrations
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 250 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 3.1 V @ 12 A
SICRD6650 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SMC Diode Solutions
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 650 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.8 V @ 6 A
LMV824MTX/NOPB · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- กระแสไฟเลี้ยง
- 250 UA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 100 NA
VS-20ETF08STRL-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 800 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.31 V @ 20 A
VS-C4PU3006LHN3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 15 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.55 V @ 15 A
VS-STPS30L60CW-N3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 480 µA @ 60 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 800 MV @ 30 A
SD200SCU150A.T2 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SMC Diode Solutions
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1.5 MA @ 150 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 920 MV @ 60 A
1N647/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 400 MA
- เทคโนโลยี
- มาตรฐาน
DK025LTP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Littelfuse Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 20 µA @ 1000 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.6 V @ 25 A
RHRP30120 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 250 µA @ 1200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 3.2 V @ 30 A
SE12DGHM3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 20 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.15 V @ 12 A
VS-30ETS12S2L-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 1200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 30 A
Dxx25L · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Littelfuse Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.6 V @ 15 A
TLV2782CD · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- กระแสไฟเลี้ยง
- 650 UA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 15 PA