ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBYT56G-TAP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 400 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.4 V @ 3 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงTL031IP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTexas Instrumentsประเภทแอมพลิฟายเออร์J-FETอัตราสลูว์5.1 V/µs ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMBR0520LT1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr250 µA @ 20 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If385 MV @ 500 MA ขอใบเสนอราคา
SX32_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr200 µA @ 20 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If500 MV @ 3 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงTL103WAIDRE4 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTexas Instrumentsประเภทแอมพลิฟายเออร์ใช้งานทั่วไปอัตราสลูว์0.4 V/µs ขอใบเสนอราคา
MBR660_T0_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr50 µA @ 60 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If750 MV @ 6 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงLMH6643MAX/NOPB · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTexas Instrumentsประเภทแอมพลิฟายเออร์ป้อนกลับแรงดันอัตราสลูว์135 V/µs ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSBR80520LT3G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr250 µA @ 20 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If385 MV @ 500 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงOPA1688IDRGT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTexas Instrumentsประเภทแอมพลิฟายเออร์ใช้งานทั่วไปอัตราสลูว์8 V/µs ขอใบเสนอราคา
ES1J_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 600 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.7 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
LMV358QDDURG4 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTexas Instrumentsประเภทแอมพลิฟายเออร์ใช้งานทั่วไปอัตราสลูว์1 V/µs ขอใบเสนอราคา
· ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicrochip Technologyกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 MA @ 20 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If450 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
TSZ182IYDT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSTMicroelectronicsประเภทแอมพลิฟายเออร์ดริฟต์ศูนย์อัตราสลูว์4.6 V/µs ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAS16HT1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 150 MA ขอใบเสนอราคา
TL032IPG4 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTexas Instrumentsประเภทแอมพลิฟายเออร์J-FETอัตราสลูว์5.1 V/µs ขอใบเสนอราคา
MBR120AFC_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr50 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If900 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
OPA2377AID · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTexas Instrumentsประเภทแอมพลิฟายเออร์ใช้งานทั่วไปอัตราสลูว์2 V/µs ขอใบเสนอราคา
V12P22HM3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr300 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If900 MV @ 12 A ขอใบเสนอราคา