JAN1N4246 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 3 A
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
1N5616/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 NA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 3 A
CDLL485B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 180 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 100 MA
CD6858 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 200 NA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 650 MV @ 15 MA
CDLL0.2A30/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 500 MV @ 200 MA
1N456A/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 175°C
- เทคโนโลยี
- มาตรฐาน
CDLL0.5A40/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 650 MV @ 500 MA
APT15DQ60SG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 25 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 2.4 V @ 15 A
VS-HFA16PB120HN3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 20 µA @ 1200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 3 V @ 16 A
CDLL0.2A40/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 500 MV @ 200 MA
DSEP29-06AS-TRL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- IXYS
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 250 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.61 V @ 30 A
SD200SA30B.T · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SMC Diode Solutions
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 6 MA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 530 MV @ 60 A
1N485B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 100 MA
VS-16FR40 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 12 MA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.23 V @ 50 A
JAN1N4245/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 3 A
1N4534UR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microsemi Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 NA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 880 MV @ 20 MA
VS-6FR40 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 12 MA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 19 A
1N4531UR-1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 NA @ 75 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 100 MA