HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
info@lianyixinic.com+86 158 1854 8834

สินค้า

MBRH12020R

MBRH12020R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ข้อมูลสินค้า

ผู้ผลิต:
GeneSiC Semiconductor
หมายเลขชิ้นส่วน:
MBRH12020R
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr:
4 MA @ 20 V
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If:
650 MV @ 120 A

ขอใบเสนอราคา

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ขอใบเสนอราคา

ข้อมูลทางเทคนิค

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

ข้อมูลระบุชิ้นส่วน

พารามิเตอร์ค่า
หมวดหมู่สารกึ่งตัวนำแบบแยก · ไดโอดเรียงกระแสเดี่ยว
ผู้ผลิตGeneSiC Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐานMBRH12020

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

พารามิเตอร์ค่า
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr4 MA @ 20 V
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If650 MV @ 120 A
แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr)20 V
กระแสเรียงเฉลี่ย (Io)120A
ความเร็วฟื้นตัวเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)

แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ

พารามิเตอร์ค่า
รูปแบบการติดตั้งติดตั้งบนแชสซี
แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุD-67
แพ็กเกจ / ตัวถังบรรจุรวม

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 1

บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง

TechnologySchottky, Reverse Polarity

รายละเอียดสินค้า

ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้

ขอใบเสนอราคา

เราใช้ข้อมูลติดต่อเพื่อตอบคำขอของคุณ ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ชิ้นส่วนที่เลือก

สินค้าทั้งหมด
MBRH12020R

MBRH12020R

LIANYIXIN RFQ

แจ้งความต้องการของคุณ

แจ้งหมายเลขชิ้นส่วน จำนวน และข้อกำหนดให้ LIANYIXIN

เราใช้ข้อมูลติดต่อเพื่อตอบคำขอของคุณ ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

พูดคุยกับ LIANYIXIN

สอบถามเกี่ยวกับชิ้นส่วนหรือแจ้งความต้องการ ระบุอีเมลเพื่อให้เราติดต่อกลับได้เมื่อคุณออกจากหน้านี้

เราจะช่วยคุณเรื่องชิ้นส่วนได้อย่างไร