สินค้า
1N5550US
1N5550US · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
ข้อมูลสินค้า
- ผู้ผลิต:
- Microchip Technology
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- 1N5550US
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr:
- 1 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If:
- 1.2 V @ 9 A
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
ข้อมูลระบุชิ้นส่วน
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| หมวดหมู่ | สารกึ่งตัวนำแบบแยก · ไดโอดเรียงกระแสเดี่ยว |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5550 |
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr | 1 µA @ 200 V |
| แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If | 1.2 V @ 9 A |
| เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr) | 2 µs |
| เทคโนโลยี | มาตรฐาน |
| อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน | -65°C ~ 175°C |
| แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr) | 200 V |
| กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) | 3A |
| ความเร็ว | ฟื้นตัวมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io) |
แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| รูปแบบการติดตั้ง | ติดตั้งบนพื้นผิว |
| แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุ | D-5B |
| แพ็กเกจ / ตัวถัง | บรรจุรวม |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
ขอใบเสนอราคา
ชิ้นส่วนที่เลือก
สินค้าทั้งหมด
XCKU040-2FFVA1156I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- XILINX
- แพ็กเกจ / ตัวถัง
- FCBGA-1156
- อุณหภูมิการทำงาน
- อุตสาหกรรม