HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
info@lianyixinic.com+86 158 1854 8834

สินค้า

GP3D012A065B

GP3D012A065B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ข้อมูลสินค้า

ผู้ผลิต:
SemiQ
หมายเลขชิ้นส่วน:
GP3D012A065B
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr:
30 µA @ 650 V
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If:
1.5 V @ 12 A

ขอใบเสนอราคา

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ขอใบเสนอราคา

ข้อมูลทางเทคนิค

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

ข้อมูลระบุชิ้นส่วน

พารามิเตอร์ค่า
หมวดหมู่สารกึ่งตัวนำแบบแยก · ไดโอดเรียงกระแสเดี่ยว
ซีรีส์Amp+™
ผู้ผลิตSemiQ
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐานGP3D012

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

พารามิเตอร์ค่า
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr30 µA @ 650 V
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.5 V @ 12 A
ความจุไฟฟ้าที่ Vr, F572pF @ 1V, 1MHz
เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)0 Ns
เทคโนโลยีช็อตต์กี SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์)
อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C
แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr)650 V
กระแสเรียงเฉลี่ย (Io)12A
ความเร็วไม่มีเวลาฟื้นตัว > 500mA (Io)

แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ

พารามิเตอร์ค่า
รูปแบบการติดตั้งติดตั้งแบบทะลุรู
แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุ–-247-2
แพ็กเกจ / ตัวถังบรรจุในหลอด

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

รายละเอียดสินค้า

ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้

ขอใบเสนอราคา

เราใช้ข้อมูลติดต่อเพื่อตอบคำขอของคุณ ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ชิ้นส่วนที่เลือก

สินค้าทั้งหมด
GP3D012A065B

GP3D012A065B

LIANYIXIN RFQ

แจ้งความต้องการของคุณ

แจ้งหมายเลขชิ้นส่วน จำนวน และข้อกำหนดให้ LIANYIXIN

เราใช้ข้อมูลติดต่อเพื่อตอบคำขอของคุณ ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

LIANYIXIN

พูดคุยกับ LIANYIXIN

สอบถามเกี่ยวกับชิ้นส่วนหรือแจ้งความต้องการ ระบุอีเมลเพื่อให้เราติดต่อกลับได้เมื่อคุณออกจากหน้านี้

เราจะช่วยคุณเรื่องชิ้นส่วนได้อย่างไร