สินค้า
GD30MPS06H
GD30MPS06H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
ข้อมูลสินค้า
- ผู้ผลิต:
- GeneSiC Semiconductor
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- GD30MPS06H
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน:
- -55°C ~ 175°C
- ความจุไฟฟ้าที่ Vr, F:
- 735pF @ 1V, 1MHz
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
ข้อมูลระบุชิ้นส่วน
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| หมวดหมู่ | สารกึ่งตัวนำแบบแยก · ไดโอดเรียงกระแสเดี่ยว |
| ซีรีส์ | SiC Schottky MPS™ |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GD30MPS06 |
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน | -55°C ~ 175°C |
| ความจุไฟฟ้าที่ Vr, F | 735pF @ 1V, 1MHz |
| เทคโนโลยี | ช็อตต์กี SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) |
| แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr) | 650 V |
| กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) | 49A |
| ความเร็ว | ไม่มีเวลาฟื้นตัว > 500mA (Io) |
แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| รูปแบบการติดตั้ง | ติดตั้งแบบทะลุรู |
| แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุ | –-247-2 |
| แพ็กเกจ / ตัวถัง | บรรจุในหลอด |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
ขอใบเสนอราคา
ชิ้นส่วนที่เลือก
สินค้าทั้งหมด
XCKU040-2FFVA1156I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- XILINX
- แพ็กเกจ / ตัวถัง
- FCBGA-1156
- อุณหภูมิการทำงาน
- อุตสาหกรรม