สินค้า
GD02MPS12E
GD02MPS12E · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
ข้อมูลสินค้า
- ผู้ผลิต:
- GeneSiC Semiconductor
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- GD02MPS12E
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr:
- 5 µA @ 1200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If:
- 1.8 V @ 2 A
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
ข้อมูลระบุชิ้นส่วน
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| หมวดหมู่ | สารกึ่งตัวนำแบบแยก · ไดโอดเรียงกระแสเดี่ยว |
| ซีรีส์ | SiC Schottky MPS™ |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor |
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr | 5 µA @ 1200 V |
| แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If | 1.8 V @ 2 A |
| ความจุไฟฟ้าที่ Vr, F | 73pF @ 1V, 1MHz |
| เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr) | 0 Ns |
| เทคโนโลยี | ช็อตต์กี SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) |
| อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน | -55°C ~ 175°C |
| แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr) | 1200 V |
| กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) | 8A |
| ความเร็ว | ไม่มีเวลาฟื้นตัว > 500mA (Io) |
แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| รูปแบบการติดตั้ง | ติดตั้งบนพื้นผิว |
| แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุ | –-252-2 |
| แพ็กเกจ / ตัวถัง | เทปและม้วน (TR) เทปตัด (CT) |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
ขอใบเสนอราคา
ชิ้นส่วนที่เลือก
สินค้าทั้งหมด
XCKU040-2FFVA1156I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- XILINX
- แพ็กเกจ / ตัวถัง
- FCBGA-1156
- อุณหภูมิการทำงาน
- อุตสาหกรรม