HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
info@lianyixinic.com+86 158 1854 8834

สินค้า

HS1JFSH

HS1JFSH · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ข้อมูลสินค้า

ผู้ผลิต:
Taiwan Semiconductor Corporation
หมายเลขชิ้นส่วน:
HS1JFSH
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr:
1 µA @ 600 V
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If:
1.7 V @ 1 A

ขอใบเสนอราคา

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ขอใบเสนอราคา

ข้อมูลทางเทคนิค

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

ข้อมูลระบุชิ้นส่วน

พารามิเตอร์ค่า
หมวดหมู่สารกึ่งตัวนำแบบแยก · ไดโอดเรียงกระแสเดี่ยว
ซีรีส์ยานยนต์, AEC-Q101
ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporation

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

พารามิเตอร์ค่า
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 600 V
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.7 V @ 1 A
ความจุไฟฟ้าที่ Vr, F13pF @ 4V, 1MHz
เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)75 Ns
เทคโนโลยีมาตรฐาน
อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C
แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr)600 V
กระแสเรียงเฉลี่ย (Io)1A
ความเร็วฟื้นตัวเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)

แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ

พารามิเตอร์ค่า
รูปแบบการติดตั้งติดตั้งบนพื้นผิว
แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุSOD-128
แพ็กเกจ / ตัวถังเทปและม้วน (TR)

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

รายละเอียดสินค้า

ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้

ขอใบเสนอราคา

ถึง
LIANYIXIN (info@lianyixinic.com)

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ชิ้นส่วนที่เลือก

สินค้าทั้งหมด
HS1JFSH

HS1JFSH

WhatsApp