HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
info@lianyixinic.com+86 158 1854 8834

สินค้า

BAS40

BAS40 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ข้อมูลสินค้า

ผู้ผลิต:
Taiwan Semiconductor Corporation
หมายเลขชิ้นส่วน:
BAS40
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr:
200 NA @ 30 V
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If:
1 V @ 40 MA

ขอใบเสนอราคา

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ขอใบเสนอราคา

ข้อมูลทางเทคนิค

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

ข้อมูลระบุชิ้นส่วน

พารามิเตอร์ค่า
หมวดหมู่สารกึ่งตัวนำแบบแยก · ไดโอดเรียงกระแสเดี่ยว
ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporation
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐานBAS40

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

พารามิเตอร์ค่า
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr200 NA @ 30 V
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1 V @ 40 MA
ความจุไฟฟ้าที่ Vr, F5pF @ 1V, 1MHz
เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)5 Ns
เทคโนโลยีช็อตต์กี
อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 125°C
แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr)40 V
กระแสเรียงเฉลี่ย (Io)200mA
ความเร็วสัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ทุกความเร็ว

แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ

พารามิเตอร์ค่า
รูปแบบการติดตั้งติดตั้งบนพื้นผิว
แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุSOT-23
แพ็กเกจ / ตัวถังเทปและม้วน (TR)

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

รายละเอียดสินค้า

ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้

ขอใบเสนอราคา

ถึง
LIANYIXIN (info@lianyixinic.com)

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ชิ้นส่วนที่เลือก

สินค้าทั้งหมด
BAS40

BAS40

WhatsApp