HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
info@lianyixinic.com+86 158 1854 8834

สินค้า

VS-10ETS10STRR-M3

VS-10ETS10STRR-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ข้อมูลสินค้า

ผู้ผลิต:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
หมายเลขชิ้นส่วน:
VS-10ETS10STRR-M3
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr:
50 µA @ 1000 V
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If:
1.1 V @ 10 A

ขอใบเสนอราคา

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ขอใบเสนอราคา

ข้อมูลทางเทคนิค

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

ข้อมูลระบุชิ้นส่วน

พารามิเตอร์ค่า
หมวดหมู่สารกึ่งตัวนำแบบแยก · ไดโอดเรียงกระแสเดี่ยว
ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Division
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน10ETS10

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

พารามิเตอร์ค่า
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr50 µA @ 1000 V
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 10 A
เทคโนโลยีมาตรฐาน
อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C
แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr)1000 V
กระแสเรียงเฉลี่ย (Io)10A
ความเร็วฟื้นตัวมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io)

แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ

พารามิเตอร์ค่า
รูปแบบการติดตั้งติดตั้งบนพื้นผิว
แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุ–-263AB (D²PAK)
แพ็กเกจ / ตัวถังเทปและม้วน (TR) เทปตัด (CT)

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

รายละเอียดสินค้า

ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้

ขอใบเสนอราคา

ถึง
LIANYIXIN (info@lianyixinic.com)

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ชิ้นส่วนที่เลือก

สินค้าทั้งหมด
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง

ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง

WhatsApp