HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
info@lianyixinic.com+86 158 1854 8834

S2D

S2D · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ข้อมูลสินค้า

ผู้ผลิต:
Onsemi
หมายเลขชิ้นส่วน:
S2D
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr:
1 µA @ 200 V
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If:
1.15 V @ 2 A

ขอใบเสนอราคา

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ขอใบเสนอราคา

ข้อมูลทางเทคนิค

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

ข้อมูลระบุชิ้นส่วน

พารามิเตอร์ค่า
หมวดหมู่สารกึ่งตัวนำแบบแยก · ไดโอดเรียงกระแสเดี่ยว
ผู้ผลิตOnsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐานS2D

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

พารามิเตอร์ค่า
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 200 V
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.15 V @ 2 A
ความจุไฟฟ้าที่ Vr, F30pF @ 4V, 1MHz
เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)2 µs
เทคโนโลยีมาตรฐาน
อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 150°C
แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr)200 V
กระแสเรียงเฉลี่ย (Io)2A
ความเร็วฟื้นตัวมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io)

แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ

พารามิเตอร์ค่า
รูปแบบการติดตั้งติดตั้งบนพื้นผิว
แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุDO-214AA (SMB)
แพ็กเกจ / ตัวถังเทปและม้วน (TR) เทปตัด (CT)

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

รายละเอียดสินค้า

ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้

ขอใบเสนอราคา

ถึง
LIANYIXIN (info@lianyixinic.com)

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ชิ้นส่วนที่เลือก

สินค้าทั้งหมด
S2D

S2D

WhatsApp