HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
info@lianyixinic.com+86 158 1854 8834

สินค้า

BAS116GWJ

BAS116GWJ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ข้อมูลสินค้า

ผู้ผลิต:
Nexperia USA Inc.
หมายเลขชิ้นส่วน:
BAS116GWJ
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr:
5 NA @ 75 V
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If:
1.25 V @ 150 MA

ขอใบเสนอราคา

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ขอใบเสนอราคา

ข้อมูลทางเทคนิค

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

ข้อมูลระบุชิ้นส่วน

พารามิเตอร์ค่า
หมวดหมู่สารกึ่งตัวนำแบบแยก · ไดโอดเรียงกระแสเดี่ยว
ซีรีส์ยานยนต์, AEC-Q101
ผู้ผลิตNexperia USA Inc.
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐานBAS116

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

พารามิเตอร์ค่า
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 NA @ 75 V
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 150 MA
ความจุไฟฟ้าที่ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)3 µs
เทคโนโลยีมาตรฐาน
อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน150°C (Max)
แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr)75 V
กระแสเรียงเฉลี่ย (Io)215mA
ความเร็วฟื้นตัวมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io)

แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ

พารามิเตอร์ค่า
รูปแบบการติดตั้งติดตั้งบนพื้นผิว
แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุSOD-123
แพ็กเกจ / ตัวถังเทปและม้วน (TR) เทปตัด (CT)

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

รายละเอียดสินค้า

ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้

ขอใบเสนอราคา

ถึง
LIANYIXIN (info@lianyixinic.com)

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ชิ้นส่วนที่เลือก

สินค้าทั้งหมด
BAS116GWJ

BAS116GWJ

WhatsApp