HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
info@lianyixinic.com+86 158 1854 8834

สินค้า

FFSD0465A

FFSD0465A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ข้อมูลสินค้า

ผู้ผลิต:
Onsemi
หมายเลขชิ้นส่วน:
FFSD0465A
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr:
200 µA @ 650 V
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If:
1.75 V @ 4 A

ขอใบเสนอราคา

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ขอใบเสนอราคา

ข้อมูลทางเทคนิค

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

ข้อมูลระบุชิ้นส่วน

พารามิเตอร์ค่า
หมวดหมู่สารกึ่งตัวนำแบบแยก · ไดโอดเรียงกระแสเดี่ยว
ผู้ผลิตOnsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐานFFSD0465

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

พารามิเตอร์ค่า
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr200 µA @ 650 V
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.75 V @ 4 A
ความจุไฟฟ้าที่ Vr, F258pF @ 1V, 100kHz
เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)0 Ns
เทคโนโลยีช็อตต์กี SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์)
อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C
แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr)650 V
กระแสเรียงเฉลี่ย (Io)7.6A
ความเร็วไม่มีเวลาฟื้นตัว > 500mA (Io)

แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ

พารามิเตอร์ค่า
รูปแบบการติดตั้งติดตั้งบนพื้นผิว
แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุD-PAK (–-252)
แพ็กเกจ / ตัวถังเทปและม้วน (TR) เทปตัด (CT)

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

รายละเอียดสินค้า

ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้

ขอใบเสนอราคา

ถึง
LIANYIXIN (info@lianyixinic.com)

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ชิ้นส่วนที่เลือก

สินค้าทั้งหมด
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง

ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง

WhatsApp