HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
info@lianyixinic.com+86 158 1854 8834

สินค้า

NE5517DR2G

NE5517DR2G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ข้อมูลสินค้า

ผู้ผลิต:
Onsemi
หมายเลขชิ้นส่วน:
NE5517DR2G
กระแสไฟเลี้ยง:
2.6 MA
กระแสไบอัสอินพุต:
5 UA

ขอใบเสนอราคา

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ขอใบเสนอราคา

ข้อมูลทางเทคนิค

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

ข้อมูลระบุชิ้นส่วน

พารามิเตอร์ค่า
ซีรีส์NE5517
ผู้ผลิตOnsemi

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

พารามิเตอร์ค่า
กระแสไฟเลี้ยง2.6 MA
กระแสไบอัสอินพุต5 UA
อุณหภูมิการทำงานต่ำสุด0 C
อัตราสลูว์50 V/us
แรงดันไฟเลี้ยงสูงสุด44 V
อุณหภูมิการทำงานสูงสุด+ 70 C
แรงดันไฟเลี้ยงต่ำสุด4 V
กระแสเอาต์พุตต่อช่อง650 UA
จำนวนช่อง2 ช่อง
แรงดันออฟเซ็ตอินพุต5 MV

แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ

พารามิเตอร์ค่า
รูปแบบการติดตั้งSMD/SMT
แพ็กเกจ / ตัวถังSOIC-16
บรรจุภัณฑ์ม้วน
ผลคูณอัตราขยายกับแบนด์วิดท์2 MHz

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 2

บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง

Product Category Transconductance Amplifiers
Forward Transconductance - Min 5400 US

รายละเอียดสินค้า

ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้

ขอใบเสนอราคา

เราใช้ข้อมูลติดต่อเพื่อตอบคำขอของคุณ ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ชิ้นส่วนที่เลือก

สินค้าทั้งหมด
NE5517DR2G

NE5517DR2G

LIANYIXIN RFQ

แจ้งความต้องการของคุณ

แจ้งหมายเลขชิ้นส่วน จำนวน และข้อกำหนดให้ LIANYIXIN

เราใช้ข้อมูลติดต่อเพื่อตอบคำขอของคุณ ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

พูดคุยกับ LIANYIXIN

สอบถามเกี่ยวกับชิ้นส่วนหรือแจ้งความต้องการ ระบุอีเมลเพื่อให้เราติดต่อกลับได้เมื่อคุณออกจากหน้านี้

เราจะช่วยคุณเรื่องชิ้นส่วนได้อย่างไร