สินค้า
JDH2S02SL
JDH2S02SL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
ข้อมูลสินค้า
- ผู้ผลิต:
- Toshiba Semiconductor And Storage
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- JDH2S02SL
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr:
- 25 µA @ 500 MV
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน:
- 125°C (Max)
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
ข้อมูลระบุชิ้นส่วน
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| หมวดหมู่ | สารกึ่งตัวนำแบบแยก · ไดโอดเรียงกระแสเดี่ยว |
| ผู้ผลิต | Toshiba Semiconductor And Storage |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | JDH2S02 |
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr | 25 µA @ 500 MV |
| อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน | 125°C (Max) |
| ความจุไฟฟ้าที่ Vr, F | 0.25pF @ 200mV, 1MHz |
| เทคโนโลยี | ช็อตต์กี |
| แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr) | 10 V |
| กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) | 10mA |
| ความเร็ว | สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ทุกความเร็ว |
แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| รูปแบบการติดตั้ง | ติดตั้งบนพื้นผิว |
| แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุ | SL2 |
| แพ็กเกจ / ตัวถัง | เทปและม้วน (TR) เทปตัด (CT) |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
ขอใบเสนอราคา
ชิ้นส่วนที่เลือก
สินค้าทั้งหมด
XCKU040-2FFVA1156I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- XILINX
- แพ็กเกจ / ตัวถัง
- FCBGA-1156
- อุณหภูมิการทำงาน
- อุตสาหกรรม