สินค้า

RS1DAL

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

พารามิเตอร์	ค่า
หมวดหมู่	สารกึ่งตัวนำแบบแยก · ไดโอดเรียงกระแสเดี่ยว
ผู้ผลิต	Taiwan Semiconductor Corporation
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	RS1D

พารามิเตอร์	ค่า
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr	1 µA @ 200 V
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If	1.3 V @ 1 A
ความจุไฟฟ้าที่ Vr, F	7pF @ 4V, 1MHz
เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)	150 Ns
เทคโนโลยี	มาตรฐาน
อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน	-55°C ~ 150°C
แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr)	200 V
กระแสเรียงเฉลี่ย (Io)	1A
ความเร็ว	ฟื้นตัวเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)

พารามิเตอร์	ค่า
รูปแบบการติดตั้ง	ติดตั้งบนพื้นผิว
แพ็กเกจ / ตัวถัง	เทปและม้วน (TR) เทปตัด (CT)

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 1

บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง