HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
info@lianyixinic.com+86 158 1854 8834

สินค้า

IDDD04G65C6XTMA1

IDDD04G65C6XTMA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ข้อมูลสินค้า

ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
หมายเลขชิ้นส่วน:
IDDD04G65C6XTMA1
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr:
14 µA @ 420 V
อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน:
-55°C ~ 175°C

ขอใบเสนอราคา

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ขอใบเสนอราคา

ข้อมูลทางเทคนิค

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

ข้อมูลระบุชิ้นส่วน

พารามิเตอร์ค่า
หมวดหมู่สารกึ่งตัวนำแบบแยก · ไดโอดเรียงกระแสเดี่ยว
ซีรีส์CoolSiC™+
ผู้ผลิตInfineon Technologies
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐานIDDD04

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

พารามิเตอร์ค่า
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr14 µA @ 420 V
อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C
ความจุไฟฟ้าที่ Vr, F205pF @ 1V, 1MHz
เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)0 Ns
เทคโนโลยีช็อตต์กี SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์)
แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr)650 V
กระแสเรียงเฉลี่ย (Io)13A
ความเร็วไม่มีเวลาฟื้นตัว > 500mA (Io)

แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ

พารามิเตอร์ค่า
รูปแบบการติดตั้งติดตั้งบนพื้นผิว
แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุPG-HDSOP-10-1
แพ็กเกจ / ตัวถังเทปและม้วน (TR) เทปตัด (CT)

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

รายละเอียดสินค้า

ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้

ขอใบเสนอราคา

เราใช้ข้อมูลติดต่อเพื่อตอบคำขอของคุณ ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ชิ้นส่วนที่เลือก

สินค้าทั้งหมด
IDDD04G65C6XTMA1

IDDD04G65C6XTMA1

LIANYIXIN RFQ

แจ้งความต้องการของคุณ

แจ้งหมายเลขชิ้นส่วน จำนวน และข้อกำหนดให้ LIANYIXIN

เราใช้ข้อมูลติดต่อเพื่อตอบคำขอของคุณ ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

พูดคุยกับ LIANYIXIN

สอบถามเกี่ยวกับชิ้นส่วนหรือแจ้งความต้องการ ระบุอีเมลเพื่อให้เราติดต่อกลับได้เมื่อคุณออกจากหน้านี้

เราจะช่วยคุณเรื่องชิ้นส่วนได้อย่างไร