HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
info@lianyixinic.com+86 158 1854 8834

สินค้า

SBR660CTT4G

SBR660CTT4G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ข้อมูลสินค้า

ผู้ผลิต:
Onsemi
หมายเลขชิ้นส่วน:
SBR660CTT4G
กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด:
3A
อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน:
-65°C ~ 175°C

ขอใบเสนอราคา

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ขอใบเสนอราคา

ข้อมูลทางเทคนิค

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

ข้อมูลระบุชิ้นส่วน

พารามิเตอร์ค่า
หมวดหมู่ชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำแบบแยก ไดโอด อุปกรณ์เรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด
ผู้ผลิตOnsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐานSBR660

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

พารามิเตอร์ค่า
กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด3A
อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 175°C
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If700 MV @ 3 A
การจัดวงจรไดโอด1 คู่ แคโทดร่วม
เทคโนโลยีช็อตต์กี
แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr)60 V
ความเร็วฟื้นตัวเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 60 V

แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ

พารามิเตอร์ค่า
แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุDPAK
แพ็กเกจ / ตัวถังเทปและม้วน (TR)
รูปแบบการติดตั้งติดตั้งบนพื้นผิว

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

รายละเอียดสินค้า

ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้

ขอใบเสนอราคา

เราใช้ข้อมูลติดต่อเพื่อตอบคำขอของคุณ ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ชิ้นส่วนที่เลือก

สินค้าทั้งหมด
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง

ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง

LIANYIXIN RFQ

แจ้งความต้องการของคุณ

แจ้งหมายเลขชิ้นส่วน จำนวน และข้อกำหนดให้ LIANYIXIN

เราใช้ข้อมูลติดต่อเพื่อตอบคำขอของคุณ ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

พูดคุยกับ LIANYIXIN

สอบถามเกี่ยวกับชิ้นส่วนหรือแจ้งความต้องการ ระบุอีเมลเพื่อให้เราติดต่อกลับได้เมื่อคุณออกจากหน้านี้

เราจะช่วยคุณเรื่องชิ้นส่วนได้อย่างไร