สินค้า

MURT10020

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

พารามิเตอร์	ค่า
หมวดหมู่	ชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำแบบแยก ไดโอด อุปกรณ์เรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด
ผู้ผลิต	GeneSiC Semiconductor

พารามิเตอร์	ค่า
กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด	50A
อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน	-55°C ~ 150°C
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If	1.3 V @ 50 A
การจัดวงจรไดโอด	1 คู่ แคโทดร่วม
เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)	75 Ns
เทคโนโลยี	มาตรฐาน
แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr)	200 V
ความเร็ว	ฟื้นตัวเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr	25 µA @ 50 V

พารามิเตอร์	ค่า
แพ็กเกจ / ตัวถัง	บรรจุรวม
รูปแบบการติดตั้ง	ติดตั้งบนแชสซี

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 1

บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง