HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
info@lianyixinic.com+86 158 1854 8834

สินค้า

BAS19LT1G

BAS19LT1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ข้อมูลสินค้า

ผู้ผลิต:
Onsemi
หมายเลขชิ้นส่วน:
BAS19LT1G
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr:
100 NA @ 100 V
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If:
1.25 V @ 200 MA

ขอใบเสนอราคา

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ขอใบเสนอราคา

ข้อมูลทางเทคนิค

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

ข้อมูลระบุชิ้นส่วน

พารามิเตอร์ค่า
หมวดหมู่สารกึ่งตัวนำแบบแยก · ไดโอดเรียงกระแสเดี่ยว
ผู้ผลิตOnsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐานBAS19

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

พารามิเตอร์ค่า
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 NA @ 100 V
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 200 MA
ความจุไฟฟ้าที่ Vr, F5pF @ 0V, 1MHz
เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)50 Ns
เทคโนโลยีมาตรฐาน
อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C
แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr)120 V
กระแสเรียงเฉลี่ย (Io)200mA
ความเร็วสัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ทุกความเร็ว

แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ

พารามิเตอร์ค่า
รูปแบบการติดตั้งติดตั้งบนพื้นผิว
แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุSOT-23-3 (–-236)
แพ็กเกจ / ตัวถังเทปและม้วน (TR) เทปตัด (CT)

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

รายละเอียดสินค้า

ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้

ขอใบเสนอราคา

เราใช้ข้อมูลติดต่อเพื่อตอบคำขอของคุณ ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ชิ้นส่วนที่เลือก

สินค้าทั้งหมด
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง

ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง

LIANYIXIN RFQ

แจ้งความต้องการของคุณ

แจ้งหมายเลขชิ้นส่วน จำนวน และข้อกำหนดให้ LIANYIXIN

เราใช้ข้อมูลติดต่อเพื่อตอบคำขอของคุณ ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

LIANYIXIN

พูดคุยกับ LIANYIXIN

สอบถามเกี่ยวกับชิ้นส่วนหรือแจ้งความต้องการ ระบุอีเมลเพื่อให้เราติดต่อกลับได้เมื่อคุณออกจากหน้านี้

เราจะช่วยคุณเรื่องชิ้นส่วนได้อย่างไร