สินค้า
NSVBAS21SLT1G
NSVBAS21SLT1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
ข้อมูลสินค้า
- ผู้ผลิต:
- Onsemi
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- NSVBAS21SLT1G
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr:
- 100 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If:
- 1.25 V @ 200 MA
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
ข้อมูลระบุชิ้นส่วน
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| หมวดหมู่ | สารกึ่งตัวนำแบบแยก · ไดโอดเรียงกระแสเดี่ยว |
| ผู้ผลิต | Onsemi |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NSVBAS21 |
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr | 100 µA @ 200 V |
| แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If | 1.25 V @ 200 MA |
| ความจุไฟฟ้าที่ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr) | 50 Ns |
| เทคโนโลยี | มาตรฐาน |
| อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน | -55°C ~ 150°C |
| แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr) | 250 V |
| กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) | 225mA |
| ความเร็ว | ฟื้นตัวเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| รูปแบบการติดตั้ง | ติดตั้งบนพื้นผิว |
| แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุ | SOT-23-3 (–-236) |
| แพ็กเกจ / ตัวถัง | เทปและม้วน (TR) เทปตัด (CT) |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
ขอใบเสนอราคา
ชิ้นส่วนที่เลือก
สินค้าทั้งหมด
XCKU040-2FFVA1156I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- XILINX
- แพ็กเกจ / ตัวถัง
- FCBGA-1156
- อุณหภูมิการทำงาน
- อุตสาหกรรม