HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
info@lianyixinic.com+86 158 1854 8834

สินค้า

HN1D02FU(T5L

HN1D02FU(T5L · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ข้อมูลสินค้า

ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor And Storage
หมายเลขชิ้นส่วน:
HN1D02FU(T5L
กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด:
100mA
อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน:
125°C (Max)

ขอใบเสนอราคา

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ขอใบเสนอราคา

ข้อมูลทางเทคนิค

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

ข้อมูลระบุชิ้นส่วน

พารามิเตอร์ค่า
หมวดหมู่ชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำแบบแยก ไดโอด อุปกรณ์เรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด
ผู้ผลิตToshiba Semiconductor And Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐานHN1D02

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

พารามิเตอร์ค่า
กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด100mA
อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน125°C (Max)
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.2 V @ 100 MA
เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)4 Ns
เทคโนโลยีมาตรฐาน
แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr)80 V
ความเร็วสัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ทุกความเร็ว
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr500 NA @ 80 V

แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ

พารามิเตอร์ค่า
แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุES6
แพ็กเกจ / ตัวถังเทปและม้วน (TR) เทปตัด (CT)
รูปแบบการติดตั้งติดตั้งบนพื้นผิว

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 1

บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง

Diode Configuration2 Pair Common Cathode

รายละเอียดสินค้า

ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้

ขอใบเสนอราคา

เราใช้ข้อมูลติดต่อเพื่อตอบคำขอของคุณ ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ชิ้นส่วนที่เลือก

สินค้าทั้งหมด
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง

ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง

LIANYIXIN RFQ

แจ้งความต้องการของคุณ

แจ้งหมายเลขชิ้นส่วน จำนวน และข้อกำหนดให้ LIANYIXIN

เราใช้ข้อมูลติดต่อเพื่อตอบคำขอของคุณ ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

พูดคุยกับ LIANYIXIN

สอบถามเกี่ยวกับชิ้นส่วนหรือแจ้งความต้องการ ระบุอีเมลเพื่อให้เราติดต่อกลับได้เมื่อคุณออกจากหน้านี้

เราจะช่วยคุณเรื่องชิ้นส่วนได้อย่างไร