สินค้า
HN2S01FUTE85LF
HN2S01FUTE85LF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
ข้อมูลสินค้า
- ผู้ผลิต:
- Toshiba Semiconductor And Storage
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- HN2S01FUTE85LF
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด:
- 100mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน:
- 125°C (Max)
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
ข้อมูลระบุชิ้นส่วน
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| หมวดหมู่ | ชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำแบบแยก ไดโอด อุปกรณ์เรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด |
| ผู้ผลิต | Toshiba Semiconductor And Storage |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | HN2S01 |
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด | 100mA |
| อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน | 125°C (Max) |
| แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If | 500 MV @ 100 MA |
| เทคโนโลยี | ช็อตต์กี |
| แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr) | 10 V |
| ความเร็ว | สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ทุกความเร็ว |
| กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr | 20 µA @ 10 V |
แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุ | US6 |
| แพ็กเกจ / ตัวถัง | เทปและม้วน (TR) เทปตัด (CT) |
| รูปแบบการติดตั้ง | ติดตั้งบนพื้นผิว |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 1
บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง
| Diode Configuration | 3 Independent |
|---|
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
ขอใบเสนอราคา
ชิ้นส่วนที่เลือก
สินค้าทั้งหมด
XCKU040-2FFVA1156I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- XILINX
- แพ็กเกจ / ตัวถัง
- FCBGA-1156
- อุณหภูมิการทำงาน
- อุตสาหกรรม