HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
info@lianyixinic.com+86 158 1854 8834

สินค้า

NSVBAS21TMR6T2G

NSVBAS21TMR6T2G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ข้อมูลสินค้า

ผู้ผลิต:
Onsemi
หมายเลขชิ้นส่วน:
NSVBAS21TMR6T2G
กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด:
200mA (DC)
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If:
1.25 V @ 200 MA

ขอใบเสนอราคา

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ขอใบเสนอราคา

ข้อมูลทางเทคนิค

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

ข้อมูลระบุชิ้นส่วน

พารามิเตอร์ค่า
หมวดหมู่ชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำแบบแยก ไดโอด อุปกรณ์เรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด
ผู้ผลิตOnsemi
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐานNSVBAS21

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

พารามิเตอร์ค่า
กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด200mA (DC)
แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 200 MA
เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)50 Ns
เทคโนโลยีมาตรฐาน
แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr)250 V
กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 NA @ 200 V
ความเร็วสัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ทุกความเร็ว

แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ

พารามิเตอร์ค่า
รูปแบบการติดตั้งติดตั้งบนพื้นผิว
แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุSC-74
แพ็กเกจ / ตัวถังเทปและม้วน (TR) เทปตัด (CT)

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 1

บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง

Diode Configuration3 Independent

รายละเอียดสินค้า

ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้

ขอใบเสนอราคา

เราใช้ข้อมูลติดต่อเพื่อตอบคำขอของคุณ ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ชิ้นส่วนที่เลือก

สินค้าทั้งหมด
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง

ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง

LIANYIXIN RFQ

แจ้งความต้องการของคุณ

แจ้งหมายเลขชิ้นส่วน จำนวน และข้อกำหนดให้ LIANYIXIN

เราใช้ข้อมูลติดต่อเพื่อตอบคำขอของคุณ ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

พูดคุยกับ LIANYIXIN

สอบถามเกี่ยวกับชิ้นส่วนหรือแจ้งความต้องการ ระบุอีเมลเพื่อให้เราติดต่อกลับได้เมื่อคุณออกจากหน้านี้

เราจะช่วยคุณเรื่องชิ้นส่วนได้อย่างไร