สินค้า
FGH60N60
FGH60N60 · Micron / ISSI / Samsung · วงจรรวม
ข้อมูลสินค้า
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- FGH60N60
- รูปแบบการติดตั้ง:
- ติดตั้งแบบทะลุรู, ติดตั้งบนพื้นผิว/ติดตั้งแบบทะลุรู, SMT
- แพ็กเกจ / ตัวถัง:
- ติดตั้งบนพื้นผิว
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| รูปแบบการติดตั้ง | ติดตั้งแบบทะลุรู, ติดตั้งบนพื้นผิว/ติดตั้งแบบทะลุรู, SMT |
| แพ็กเกจ / ตัวถัง | ติดตั้งบนพื้นผิว |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 5
บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง
| Type | MOSFET, Original |
|---|---|
| Description | Mosfet Transistor |
| Brand | FGH60N60 |
| Configuration | Three Phase |
| Transistor Type | Mrf150 Rf Power Transistor |
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
ขอใบเสนอราคา
ชิ้นส่วนที่เลือก
สินค้าทั้งหมด
MT41K256M16TW-107 · Micron / ISSI / Samsung · วงจรรวม
- ความละเอียด ADC
- 10 Bit
- ความถี่สัญญาณนาฬิกาสูงสุด
- 16 MHz
MT29F2G08ABAEAH4 · Micron / ISSI / Samsung · วงจรรวม
- ความละเอียด ADC
- 10 Bit
- ความถี่สัญญาณนาฬิกาสูงสุด
- 16 MHz
