สินค้า
· Micron / ISSI / Samsung · วงจรรวม
· Micron / ISSI / Samsung · วงจรรวม
ข้อมูลสินค้า
- ผู้ผลิต:
- Original
- อุณหภูมิการทำงาน:
- -40°C ~ 85°C (TA)
- ประเภท:
- IC
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
ข้อมูลระบุชิ้นส่วน
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| หมายเลขชิ้นส่วน | GL868-DUAL/BGS2-E |
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| อุณหภูมิการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ประเภท | IC |
| ขนาดหน่วยความจำแฟลช | 72MHz |
| อุปกรณ์ต่อพ่วง | 32-Bit |
| จำนวน I/O | CANbus, IC, IrDA, LINbus, SPI, UART/USART, USB |
| EEPROM · ความจุหน่วยความจำ | 128 X 8 |
| แรงดันไฟเลี้ยง (Vcc/Vdd) | FLASH |
| ตัวแปลงข้อมูล | 128 X 8 |
| ประเภทออสซิลเลเตอร์ | 2V ~ 3.6V |
| ข้อมูลอ้างอิงเทียบเคียง | BTS716 |
แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| รูปแบบการติดตั้ง | ติดตั้งบนพื้นผิว |
| จำนวนคอร์ / ความกว้างบัส | ติดตั้งบนพื้นผิว |
หน่วยความจำและอินเทอร์เฟซ
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| ขนาดคอร์ | 8-Bit |
| ประเภทหน่วยความจำโปรแกรม | 37 |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 6
บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง
| Description | GSM GPRS Module GL868 GL868-DUAL/BGS2-E |
|---|---|
| Core Processor | ARM-M3 |
| Connector Type | 20K X 8 |
| Size / Dimension | 1.75KB (1K X 14) |
| Program Memory Size | DMA, Motor Control PWM, PDR, POR, PVD, PWM |
| Controller Series | A/D 10x12b |
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
ขอใบเสนอราคา
ชิ้นส่วนที่เลือก
สินค้าทั้งหมดMT41K256M16TW-107 · Micron / ISSI / Samsung · วงจรรวม
- ความละเอียด ADC
- 10 Bit
- ความถี่สัญญาณนาฬิกาสูงสุด
- 16 MHz
MT29F2G08ABAEAH4 · Micron / ISSI / Samsung · วงจรรวม
- ความละเอียด ADC
- 10 Bit
- ความถี่สัญญาณนาฬิกาสูงสุด
- 16 MHz

