สินค้า
EM78P447NASJ
EM78P447NASJ · Micron / ISSI / Samsung · วงจรรวม
ข้อมูลสินค้า
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- EM78P447NASJ
- แรงดันพังทลาย:
- V
- ความถี่สวิตชิ่ง:
- Hz
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
ข้อมูลระบุชิ้นส่วน
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| หมายเลขชิ้นส่วน | EM78P447NASJ |
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| แรงดันพังทลาย | V |
| ความถี่สวิตชิ่ง | Hz |
| กำลัง (W) | W |
| อุณหภูมิการทำงาน | C |
| แรงดันจ่ายต่ำสุด | V |
| แรงดันจ่ายสูงสุด | V |
| แรงดันเอาต์พุต | V |
| กระแสเอาต์พุตต่อช่อง | A |
| ความถี่ | HZ |
| การใช้งาน | วงจรรวม |
| กำลังเอาต์พุต | 20.5dBm, 20.5dBm |
| มอดูเลชัน | CCK, DSSS, OFDM |
หน่วยความจำและอินเทอร์เฟซ
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| อินเทอร์เฟซอนุกรม | GPIO, IC, IS, PWM, SDIO, SPI, UART |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 6
บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง
| Type | Integrated Circuit, Drive IC |
|---|---|
| Description | MCU Ic Chip |
| Memory Size | 448kB ROM, 536kB SRAM |
| Protocol | 802.11b/g/n |
| Utilized IC / Part | ESP32-D0WD, ESP32-D0WD |
| Name | EM78P447NASJic Em78p447namj |
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
ขอใบเสนอราคา
ชิ้นส่วนที่เลือก
สินค้าทั้งหมด
MT41K256M16TW-107 · Micron / ISSI / Samsung · วงจรรวม
- ความละเอียด ADC
- 10 Bit
- ความถี่สัญญาณนาฬิกาสูงสุด
- 16 MHz
MT29F2G08ABAEAH4 · Micron / ISSI / Samsung · วงจรรวม
- ความละเอียด ADC
- 10 Bit
- ความถี่สัญญาณนาฬิกาสูงสุด
- 16 MHz
